[18a-P03-1~16] 10 Spintronics and Magnetics(Poster)

[18a-P03-2] Growth orientation and evaluation of hexagonal Mn₃Ga films using Titanium nitride buffer layer

〇Yusuke Ando¹, Tetsuya Hajiri¹, Kosuke Matsuoka¹, Kenji Ueda¹, Hidefumi Asano¹ (1.Nagoya. Univ.)

Keywords:noncollinear antiferromagnet, Anomalous Hall effect

ノンコリニア反強磁性体の六方晶Mn₃Z(Z = Ga, Ge, Sn)では異常ホール効果やスピンホール効果の観測が理論予測・実験報告されている。また、六方晶Mn₃Zの異常ホール効果はそのバンド構造を由来としており、異方性をもつ。Mn3Gaは中でも最も高いネール温度(T_N = 570 K)を持つが、未だ単結晶バルクの作製は報告されていない。そこで、本発表ではMgO(111)、(110)基板、TiNバッファ層を用いることでMn₃Ga膜の方向制御を行い、磁気輸送の異方性の観測を行った。