[18a-P03-1~16] 10 スピントロニクス・マグネティクス(ポスター)

[18a-P03-2] TiNバッファ層を用いた六方晶Mn₃Ga薄膜の成長方位制御と評価

〇安藤 優介¹、羽尻 哲也¹、松岡 孝輔¹、植田 研二¹、浅野 秀文¹ (1.名大工)

キーワード：ノンコリニア反強磁性体、異常ホール効果

ノンコリニア反強磁性体の六方晶Mn₃Z(Z = Ga, Ge, Sn)では異常ホール効果やスピンホール効果の観測が理論予測・実験報告されている。また、六方晶Mn₃Zの異常ホール効果はそのバンド構造を由来としており、異方性をもつ。Mn3Gaは中でも最も高いネール温度(T_N = 570 K)を持つが、未だ単結晶バルクの作製は報告されていない。そこで、本発表ではMgO(111)、(110)基板、TiNバッファ層を用いることでMn₃Ga膜の方向制御を行い、磁気輸送の異方性の観測を行った。