[18a-Z05-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[18a-Z05-1] Conversion from Immobile Basal Plane Dislocations to Mobile Combinations of Partial Dislocations during Epitaxial Growth of 4H-SiC

〇Johji Nishio¹, Chiharu Ota¹, Ryosuke Iijima¹ (1.Toshiba Corp.)

Keywords:4H-SiC, basal plane dislocation, partial dislocation

不動の基底面転位(BPD)がエピ成長によって可動の30°Siコア部分転位を含む組合せに変換し単一ショックレー型積層欠陥(1SSF)に拡張するというモデルを提唱してきた。今回、PLイメージングによって片方が曲線状のBPDを2種選出してそれぞれの部分転位(PD)の構造解析を行い、モデルの実験的検証を行うと共に不動BPDが可動PDに変化する条件につき検討した。