[18a-Z05-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18a-Z05-1] 不動の基底面転位から可動部分転位への変換確認とその条件明確化

〇西尾 譲司¹、太田 千春¹、飯島 良介¹ (1.東芝　研開センター)

キーワード：4H-SiC、基底面転位、部分転位

不動の基底面転位(BPD)がエピ成長によって可動の30°Siコア部分転位を含む組合せに変換し単一ショックレー型積層欠陥(1SSF)に拡張するというモデルを提唱してきた。今回、PLイメージングによって片方が曲線状のBPDを2種選出してそれぞれの部分転位(PD)の構造解析を行い、モデルの実験的検証を行うと共に不動BPDが可動PDに変化する条件につき検討した。