The 68th JSAP Spring Meeting 2021

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[18a-Z05-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

Thu. Mar 18, 2021 9:00 AM - 12:00 PM Z05 (Z05)

Hiroaki Hanafusa(Hiroshima Univ.), Hirokuni Asamizu(ローム)

11:45 AM - 12:00 PM

[18a-Z05-11] Fabrication and evaluation of 4H-SiC Schottky-pn-diode with high blocking voltage

〇(B)Yudai Kitamura1, Ryo Kamewada1, Kazutoshi Kojima2, Noriyuki Iwamuro1, Hiroshi Yano1 (1.Univ. of Tsukuba, 2.AIST)

Keywords:semiconductor, Schottky-pn-Diode

ショットキー接合と片側pn接合に挟まれた低濃度p層が双方の空乏層により完全空乏化する構造を有するSiCショットキーpnダイオード:SPNDは、パワーデバイスの導通損失ースイッチング損失間トレードオフ特性の向上ができると期待されている。しかしながら現状のSPNDは耐圧が300Vと低い。よって、本研究ではSPNDの高耐圧化を目的として耐圧600Vの素子を設計・作製を行い、SPNDの高耐圧化を達成した。