[18a-Z11-1~13] 2.1 放射線物理一般・検出器基礎

[18a-Z11-1] 高累積線量におけるELTの耐放射線評価と放射線劣化モデルの検討

〇吉田 僚一郎¹、木村 有佐¹、安藤 幹¹、大島 佑太¹、鍋屋 信介¹、平川 顕二¹、岩瀬 正幸¹、小笠原 宗博¹、依田 孝¹、石原 昇¹、伊藤 浩之¹ (1.東工大工)

キーワード：TID効果、MOSFET、ELT

MOSFETの特性は，宇宙や原子力といった放射線が長期間照射される環境では，TID効果により劣化する．本報告では，TID対策の一つであるELT(Enclosed Layout Transistor)の100 Mrad までの高累積線量の放射線影響評価を行った．また実測値からELT の特性劣化を表現できる回路シミュレータモデルを検討した．閾値電圧のシフトおよびキャリア移動度の減少を放射線照射量に依存するパラメータとして回路シミュレータに組み込むことで特性劣化を表現できることを明らかにした．