[18a-Z13-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18a-Z13-4] MgO基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長機構

〇(B)真崎 瞭¹、高谷 亮太¹、金 聖祐²、川又 友喜²、小山 浩司²、ニロイ チャンドラ¹、嘉数 誠¹ (1.佐賀大院工、2.アダマンド並木精密宝石)

キーワード：ヘテロエピタキシャルダイヤモンド、酸化マグネシウム、核形成

ダイヤモンドは従来のSi、SiC、GaNに比べ、禁制帯幅、絶縁破壊電界、熱伝導率が高いことから、優れたパワー半導体素子として期待されている。しかし、そのためにはダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長による大口径ウェハーが必要である。これまでもMgO基板上のヘテロエピタキシャル成長が報告されているが、本研究ではダイヤモンドの成長時間を変えた試料を観察、測定することで初期の成長機構を調べた。