[18a-Z15-1~10] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18a-Z15-3] Implantation of Mg ion into GaN substrate on a channeling condition (IV)

〇Tomoaki Nishimura¹, Kiyoji Ikeda¹, Tetsu Kachi² (1.Hosei Univ., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, ion implantation, channeling

180 keV Mgを前回発表の10倍の1×10¹⁵ cm^-2チャネリング注入した試料に対するSIMS分析およびシミュレーション解析を行った。SIMS結果から数μm以上の深部へMgイオンが到達しにくくなることが分かった。注入後の試料に対して欠陥量の定量分析(RBS/C)を行ったところ表面側には結晶全体の約3%のGa欠陥が存在することが分かった。欠陥生成を考慮したチャネリング注入シミュレーションが行えるコード(scatGUI)を開発してシミュレートしたところ実験結果を再現することに成功した。