[18a-Z15-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18a-Z15-3] GaN基板へのMgのチャネリングイオン注入(Ⅳ)

〇西村 智朗¹、池田 清治¹、加地 徹² (1.法政大、2.名古屋大)

キーワード：GaN、イオン注入、チャネリング

180 keV Mgを前回発表の10倍の1×10¹⁵ cm^-2チャネリング注入した試料に対するSIMS分析およびシミュレーション解析を行った。SIMS結果から数μm以上の深部へMgイオンが到達しにくくなることが分かった。注入後の試料に対して欠陥量の定量分析(RBS/C)を行ったところ表面側には結晶全体の約3%のGa欠陥が存在することが分かった。欠陥生成を考慮したチャネリング注入シミュレーションが行えるコード(scatGUI)を開発してシミュレートしたところ実験結果を再現することに成功した。