[18a-Z15-1~10] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18a-Z15-5] Photoluminescence study on Mg-ion-implanted GaN with ultra-high-pressure annealing

〇Maito Shiraishi¹, Taisei Miyazaki¹, Ryusui Wada¹, Kenta Watanabe², Takashi Okawa², Masato Omori¹ (1.Oita Univ., 2.MIRISE Technologies)

Keywords:GaN, ion implantation, PL

次世代パワー半導体として注目されている窒化ガリウム（GaN）を用いたパワーデバイスの実現には，イオン注入法を用いてp型層を選択的に形成する技術が必要となる。本研究では，イオン注入とアニール処理によって生じる欠陥をフォトルミネッセンス（PL）法を用いて評価することを目的としている。本発表ではMgをイオン注入し超高圧アニール処理を施したGaN試料に対して，PLの試料温度依存性を測定したので報告する。