[18a-Z15-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [18a-Z15-6] GaNへのMgイオン注入におけるリコイルN原子の影響

〇(B)ハーバート 甲斐¹、柴田 和樹¹、アスバル ジョエル²、葛原 正明¹ (1.関学大理工、2.福井大院工)

キーワード：窒化物半導体、GaN、イオン注入

p型GaNの形成方法としてMgイオン注入が検討されている。本研究では、イオン注入によりGaNに導入されるリコイル原子の深さ分布をボルツマン輸送方程式を用いて計算した。その結果、Mgイオン注入によりGaNに導入されるストイキオメトリのずれの程度が比較的大きいことが示されたので報告する。