[18a-Z15-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18a-Z15-9] GaNエピ層キャリア再結合の遅い成分の電気的特性への寄与

〇(M1)前田 卓人¹、浅田 貴斗¹、伊藤 健治²、冨田 一義²、成田 哲生²、加地 徹³、加藤 正史^1,3 (1.名工大、2.豊田中研、3.名大)

キーワード：半導体