[18a-Z15-1~10] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [18a-Z15-8] Impact of Schottky barrier height on the detection of deep-levels in n-type GaN by deep-level transient spectroscopy

〇Keito Aoshima¹, Masahiro Horita^1,2, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:DLTS, Schottky barrier diode, Schottky barrier height

DLTS法は、半導体結晶中のトラップを調べるために用いられる一般的な手法の一つであるが、ショットキーバリアダイオード(SBD)を用いたトラップ評価には注意が必要となる。SBDのショットキー障壁高さは、DLTS法によるトラップの見かけの放出時定数および密度評価に対して影響を与えるといわれている。本研究では、DLTS法によるGaN中のトラップ評価に対して、ショットキー障壁高さが与える影響を定量的に評価、解析した。