[18a-Z16-1~8] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

[18a-Z16-3] 極端紫外線リソグラフィにおけるパターン形成のシミュレーション解析

〇香山 真範¹、今井 恭平¹、白井 正充¹、平井 義彦¹、安田 雅昭¹ (1.阪府大院工)

キーワード：EUVリソグラフィ、化学増幅系レジスト、シミュレーション

レジストの分子構造や反応過程を確率論的モデルを用いて再現するシミュレーション手法により，EUVリソグラフィにおける化学増幅系レジストのパターン形成過程を解析した。露光量が大きくなるほど反応の不均一性は抑制され，LERは小さくなっている．また，露光量が大きいときは重合度が小さなレジストほどLERも小さくなっており，反応の不均一性を十分に抑制した露光条件では，ポリマーの分子サイズがLERを支配することが示された．