[18a-Z17-1~11] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [18a-Z17-7] Characterization of the high-rate prepared fluorocarbon films by solid-source aided plasma chemical vapor deposition technique

〇Hiromichi Nakatsuka¹, Rei Tanaka¹, Hiroaki Kakiuchi¹, Kiyoshi Yasutake¹, Hiromasa Ohmi¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:plasma, fluorocarbon, chemical vapor deposition

プラズマ化学気相蒸着(PCVD)法によるフルオロカーボン(FC)膜の形成には、原料に高価なガスを必要としてきた。そこで我々は、廉価なCF₄原料によるFC膜の形成を実現するため、固体ソース支援プラズマ化学気相成長（SAPCVD）法を提案する。本手法では、反応系へ固体炭素原料を導入することによりプラズマガス組成を制御し、FC膜の高速形成が可能となっている。本報告では、SAPCVD法により形成した撥水FC膜の特性について評価し、議論する。