2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[18a-Z17-1~11] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2021年3月18日(木) 09:00 〜 12:00 Z17 (Z17)

竹中 弘祐(阪大)、竹田 圭吾(名城大)

10:45 〜 11:00

[18a-Z17-7] 固体ソース支援プラズマ化学気相蒸着法により高速形成されたフルオロカーボン膜の特性評価

中塚 宏学1、田中 領1、垣内 弘章1、安武 潔1、大参 宏昌1 (1.阪大院工)

キーワード:プラズマ、フルオロカーボン、化学気相成長法

プラズマ化学気相蒸着(PCVD)法によるフルオロカーボン(FC)膜の形成には、原料に高価なガスを必要としてきた。そこで我々は、廉価なCF4原料によるFC膜の形成を実現するため、固体ソース支援プラズマ化学気相成長(SAPCVD)法を提案する。本手法では、反応系へ固体炭素原料を導入することによりプラズマガス組成を制御し、FC膜の高速形成が可能となっている。本報告では、SAPCVD法により形成した撥水FC膜の特性について評価し、議論する。