[18a-Z20-1~8] 6.1 Ferroelectric thin films

[18a-Z20-4] Features of SBT-Based FeFET : Comparison with HfO₂-Based FeFET

〇Shigeki Sakai¹, Mitsue Takahashi¹ (1.AIST)

Keywords:FeFET, SBT, ferroelectric thin film

SBT系FeFETはダミーゲートプロセスを用いることにより100nm以細のスケーリングについての見通しが立つようになった。SBT系FeFETは、書換え耐性が優れデータ書換え可能回数は10⁸回以上を常時示してきた。HfO₂系FeFETは、 メモリウィンドウは広いがデータデータ書換え可能回数は10⁵回程度である。SBT系とHfO₂系のFeFETを比較する。特に書換え可能回数の違いが生じる理由を論じる。