[18a-Z20-1~8] 6.1 Ferroelectric thin films

[18a-Z20-7] Influence of Pt/SRO top electrode on resistance switching of Nd-doped BFO ferroelectric films

〇Yasuhide Hashimoto¹, Morimoto Akiharu², Yoshida Masahiro¹ (1.College of Sci. and Eng., Kanazawa Univ., 2.Grad. School of Nat. Sci. and Tech., Kanazawa Univ.)

Keywords:Ferroelectric, ReRAM

現在ReRAM は高速動作、低消費電力のために次世代の不揮発性メモリの候補として注目を集めている。中でも強誘電体を用いた ReRAM では書き換え回数などの性能の向上が期待されている。我々はこれまでにPt/Si 基板上に強誘電体層として非鉛強誘電体Nd を10%置換した Bi_1.0Nd_0.1Fe_1.0O₃(BNF)、上部電極に Ptを堆積しMFM キャパシタ構造を作製し、各種特性評価を行ってきた。今回、上部電極PtとBNFの間に導電性酸化物のSROを挟むことによりBNFのメモリの疲労特性を改善したので報告する。