[18a-Z24-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18a-Z24-5] InP(311)B基板上におけるBi系化合物半導体の成長

〇赤羽 浩一¹、松本 敦¹、梅沢 俊匡¹、富永 依里子²、山本 直克¹ (1.情通機構、2.広島大)

キーワード：希薄Bi混晶、分子線エピタキシー

今回我々は光通信波長帯に応用が可能なInP(311)B基板上へのInPBi成長について検討を行ったのでこれを報告する。