[18a-Z27-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-Z27-4] GaN上GaInN膜成長初期のSi層挿入数に対する格子緩和過程の変化

〇(M1)横山 晴香¹、山口 智広¹、佐々木 拓生²、大野 颯一朗¹、木口 賢紀³、比留川 大輝¹、藤川 誠司²、高橋 正光²、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹ (1.工学院大、2.量研、3.東北大)

キーワード：GaInN、MBE

高品質なGaInN薄膜は、光無線給電(OWPT)用の受光器応用に期待される。高品質GaInNヘテロエピタキシャル膜を得るためには、格子緩和プロセスの制御が必要となる。本研究では、GaN上GaInN成長時のその場X線逆格子マッピング(XRD-RSM)観察を通して、GaInN膜成長初期に挿入したSi層の層数を変化させた際の各GaInN膜の格子緩和過程を観察した。Si層の挿入は成長しているGaInN膜の格子緩和を促進する効果があるといえ、層数の変化により異なる緩和過程が確認された。