[18a-Z27-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-Z27-6] フラックス膜成長（FFC-sputtering）法によるAlN結晶成長

〇ソン イェリン^1,2、川村 史朗¹、大橋 直樹^1,3、島村 清史^1,2 (1.物材機構、2.早大・理工、3.東工大)

キーワード：窒化アルミニウム、スパッタリング、エピタキシャル

液相成長法は平衡に近い条件で結晶を成長することが可能なため高品質な窒化物半導体成長が期待出来る。しかしながら窒素ガスを原料としたフラックス法では、island成長によるインクルージョンの取込がデバイス化を困難にする大きな問題となっている。本研究では, AlN薄膜成長のために適切なフラックスの探索から研究を始めた。その後、island成長を抑制するための新しい成長方法 “Flux-film-coated sputtering”を開発し、フラットなAlN薄膜の成長を可能とした。