[18a-Z29-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

[18a-Z29-3] THz時間領域分光によるALD酸化膜の電界効果の評価

〇望月 敏光¹、薄 謙志郎¹、棚橋 克人¹、高遠 秀尚¹、川山 巌²、斗内 政吉³ (1.産総研、2.京都大学、3.阪大レーザー研)

キーワード：テラヘルツ、表面パッシベーション、原子層積層法

容量電圧法(C-V)法などによる表面電場評価に適さない、ALDによるトンネル酸化膜およびアルミナ-Si酸化膜多層膜が付きSi表面の電界効果パッシベーションをレーザーテラヘルツ放射顕微鏡(LTEM)による​THz時間領域分光により評価した。Si酸化膜試料ではスクリーニング効果によると考えられる少数キャリア寿命との逆相関を、アルミナ多層膜ではSi酸化膜厚の厚い試料でSi酸化膜によりアルミナ多層膜の帯電が防止されたことによるものと考えられるTHz波形反転を観測した。