[18a-Z31-1~9] 17.3 Layered materials

△ [18a-Z31-2] Gas-source chemical vapor deposition growth of micrometer-scale tungsten disulfide atomic layers under alkali-metal free condition

〇Mitsuhiro OKADA¹, Naoya Okada¹, Wen-Hsin Chang¹, Tetsuo Shimizu¹, Toshitaka Kubo¹, Masatou Ishihara¹, Toshifumi Irisawa¹ (1.AIST)

Keywords:Transition metal dichalcogenides, CVD

常温・常圧で気体であるH₂S並びにWF₆は、その高い工業適用性・原料供給制御性・スケーラビリティ故にWS₂薄膜の大面積成長原料として有用であるが、アルカリ金属アシストがない環境下ではそのグレインサイズは100 nm以下であり、高密度のグレインバウンダリに起因する品質の低下が問題であった。
本研究ではこれを解決すべく結晶成長の速度論的な観点から成長条件の最適化を行い、これら気体原料から1 μmオーダーのWS₂結晶を得ることに成功したので報告する。