[18a-Z31-1~9] 17.3 Layered materials

[18a-Z31-3] Improvement of the MoS₂ thin film quality deposited by low-temperature MOCVD using Mo precursor i-Pr₂DADMo(CO)₃

〇Kota Yamazaki¹, Yusuke Hibino^1,4, Yusuke Hashimoto¹, Hideaki Machida³, Masato Ishikawa³, Hiroshi Sudoh³, Hitoshi Wakabayashi², Atushi Ogura^1,5 (1.Meiji Univ., 2.Tokyo tech., 3.Gas-phase Growth Ltd., 4.JPSP Research Fellow, 5.MREL)

Keywords:transition metal dichalcogenide, metal organic chemical vapor deposition

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)の代表格であるMoS₂の作製手法として、我々は以前、新規Mo原料のi-Pr₂DADMo(CO)₃を用いた低温MOCVDによる作製を報告した。本発表では、さらなる膜質の向上に向けて、様々な成膜パラメータがMoS₂の成長に与える影響について調査した結果を報告する。