[18a-Z31-1~9] 17.3 層状物質

[18a-Z31-3] Mo原料としてi-Pr₂DADMo(CO)₃を用いた低温MOCVDによるMoS₂薄膜の膜質向上

〇山崎 浩多¹、日比野 祐介^1,4、橋本 侑祐¹、町田 英明³、石川 真人³、須藤 弘³、若林 整²、小椋 厚志^1,5 (1.明治大、2.東工大、3.気相成長㈱、4.学振特別研究員、5.明大MREL)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、有機金属化学気相成長

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)の代表格であるMoS₂の作製手法として、我々は以前、新規Mo原料のi-Pr₂DADMo(CO)₃を用いた低温MOCVDによる作製を報告した。本発表では、さらなる膜質の向上に向けて、様々な成膜パラメータがMoS₂の成長に与える影響について調査した結果を報告する。