[18a-Z31-1~9] 17.3 Layered materials

[18a-Z31-5] Evaluation of Mo_(1-x)W_xS fabricated by combinatorial film deposition

〇Yusuke Hashimoto¹, Keiji Ishibashi², Yusuke Hibino^1,4, Kota Yamazaki¹, Hitoshi Wakabayashi³, Atushi Ogura^1,5 (1.Meiji Univ., 2.COMET, 3.Tokyo Tech., 4.JSPS Research Fellow, 5.MREL)

Keywords:Transition Metal Dichalcogenides, Combinatorial film deposition, Magnetron Sputtering

Mo_(1-x)W_xS₂は遷移金属ダイカルコゲナイドを代表するMoS₂とWS₂の混晶半導体であり、W濃度xを変化させることで結晶構造や光学特性を変調可能である。我々はマグネトロンスパッタ法を用いて１試料面内に濃度を100%変化させるコンビナトリアル成膜を用いて、異なる濃度に対して選択的に評価を行なった。本研究では各濃度領域に対して評価を行い、Mo_(1-x)W_xS₂の膜構造や結晶性について議論した。