[18a-Z33-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-Z33-2] 酸素負イオン照射によるSn添加In₂O₃薄膜における縮退／非縮退評価ならびにバンドギャップ自在制御

〇古林 寛¹、前原 誠²、酒見 俊之²、北見 尚久^1,2、山本 哲也¹ (1.高知工科大、2.住友重機械)

キーワード：酸化インジウム、縮退／非縮退状態、バンドギャップ制御

最近我々は、独自の酸素負イオン(O⁻) 照射により、錫添加 In₂O₃ (ITO) の電気光学特性を大幅に制御することに成功した。本講演では上記結果に基き、縮退／非縮退状態の評価ならびに光学バンドギャップ制御の二点に関して、新型手法を提案する。