The 68th JSAP Spring Meeting 2021

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18a-Z33-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Thu. Mar 18, 2021 9:00 AM - 11:30 AM Z33 (Z33)

Yamada Naoomi(Chubu Univ.), Magari Yusaku(Simane Univ.)

9:45 AM - 10:00 AM

[18a-Z33-4] The sputter deposition of broadband transparent conductive In2O3:Ce,H and its transfer to silicon heterojunction solar cells

Takashi Koida1, Leonard Tutsch1,2, Hitoshi Sai1, Takuya Matsui1, Martin Bivour2, Martin Hermle2 (1.AIST, 2.Fraunhofer ISE)

Keywords:transparent conductive oxide, mobility, solar cell

Siヘテロ接合(SHJ)太陽電池開発において、窓電極のITO(In2O3:Sn)をより高移動度な透明導電膜に置換え、光学(反射・吸収)損失を抑制することで、高効率化が図られている。窓電極形成には、反応性プラズマ堆積(RPD)あるいはマグネトロンスパッタ(MS)法が用いられ、高移動度透明導電膜としてHあるいはHと金属(Me)不純物を同時添加したIn2O3:Me,H薄膜が用いられている。本研究では、MS-In2O3:Ce,H薄膜の性能を調べ、SHJ太陽電池の窓電極に適用し、ITOを用いた参照試料との性能比較を行った。