〇(DC)ISLAM MOHAMMAD SHAFIQUL¹、 Yuki Konishi¹、 Raj Deep¹、 Jie Lin²、 Toshiyuki Yoshida¹、 Yasuhisa Fujita^1,2 (1.Shimane University、2.S-Nanotech Co-Creation Ltd)

14:00 〜 14:15

▲ [18p-Z33-4] The Electroluminescence of ZnO nanoparticle-based LEDs improved by inserting a ZnMgO nanoparticles layer.

〇(DC)ISLAM MOHAMMAD SHAFIQUL¹、 Yuki Konishi¹、 Raj Deep¹、 Jie Lin²、 Toshiyuki Yoshida¹、 Yasuhisa Fujita^1,2 (1.Shimane University、2.S-Nanotech Co-Creation Ltd)

14:15 〜 14:30

[18p-Z33-5] 合成石英基板上に成長した岩塩構造 MgZnO 微結晶の真空紫外域での発光特性

〇高坂亘¹、星翔馬²、工藤幹太¹、猪狩有生¹、金子健太郎²、山口智弘¹、藤田静雄²、尾沼猛儀¹ (1.工学院大学、2.京大院工)

14:45 〜 15:00

[18p-Z33-6] 高温スパッタリングにより成膜したMgZnO透明電極材料の電気的及び光学的特性

〇(M1)松原太一¹、久志本真希¹、渡邊浩崇²、古澤優太²、新田州吾²、本田善央^2,3,4、天野浩^2,3,5 (1.名大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.名大VBL、4.名大高等研究院、5.名大赤崎記念研究センター)

15:00 〜 15:15

[18p-Z33-7] マグネトロンスパッタ成膜 ZnO 透明導電膜における Al, Ga, In 及び Ti ドーピング特性

〇野本淳一¹、牧野久雄²、土屋哲男¹、山本哲也² (1.産総研先進コーティング技術研究センター、2.高知工科大総研)

15:15 〜 15:30

[18p-Z33-8] Mg_0.6Zn_0.4O/ZnO圧力センサの共振・反共振法による圧電特性評価

〇遠藤治之¹、二瓶貴之¹、鈴木一孝¹、茨島明¹、柏葉安兵衛² (1.岩手県工技センタ、2.岩手大)

15:30 〜 15:45

[18p-Z33-9] 残留 Ar を伴う ZnO 薄膜の化学結合状態

〇山本哲也¹、野本淳一²、牧野久雄¹、中島智彦²、土屋哲雄² (1.高知工科大総研、2.産総研先進コーテイング技研センター)

15:45 〜 16:00

[18p-Z33-10] Al添加ZnO薄膜のアニールによる特性変化と成膜位置の関係

〇山田容士¹、正力幹也¹、杉浦怜¹、舩木修平¹ (1.島根大総理工)

16:15 〜 16:30

[18p-Z33-11] β型Ga₂O₃(010)基板上(AlGa)₂O₃層の臨界膜厚

〇奥村宏典¹ (1.筑大院数理)

16:30 〜 16:45

[18p-Z33-12] MBE法によるα-Al₂O₃ホモエピタキシャル成長の結晶方位依存性

〇神野莉衣奈¹、奥村宏典¹ (1.筑波大数理)

16:45 〜 17:00

[18p-Z33-13] Ga₂O₃基板上へのNiGa₂O₄薄膜の形成

〇中込真二¹、國分義弘¹ (1.石巻専修大理工)

17:00 〜 17:15

[18p-Z33-14] ミスト CVD 法による高 Mg 組成 Ni_1-xMg_xO 薄膜のエピタキシャル成長

〇(M1)孫芸華¹、池之上卓己¹、三宅正男¹、平藤哲司¹ (1.京大院エネ科)

17:15 〜 17:30

[18p-Z33-15] 選択成長を用いた(001) κ-Ga₂O₃ の面内配向制御

〇大島祐一¹、河原克明²、大島孝仁²、四戸孝² (1.物材機構、2.FLOSFIA)

17:30 〜 17:45

[18p-Z33-16] GaCl₃気体原料を用いたβ-Ga₂O₃ホモエピタキシャル成長

〇(B)長野理紗¹、江間研太郎¹、佐々木公平²、倉又朗人²、村上尚¹ (1.東京農工大学院工、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)

17:45 〜 18:00

[18p-Z33-17] サファイア基板上Mist-CVD成長α-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードにおけるほぼ理想的な熱電子放出および熱電子電界放出特性

〇前田拓也¹、沖川満²、加藤勇次²、高橋勲²、四戸孝² (1.京大院工、2.FLOSFIA)

一般セッション(口頭講演)

[19a-Z33-1~12] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2021年3月19日(金) 09:00 〜 12:15 Z33 (Z33)

宇野和行(和歌山大)、大島祐一(物材機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

▲ [19a-Z33-1] Board-band Terahertz Birefringence of Fe-doped Gallium Oxide (Ga₂O₃)

〇(M1)Ke Wang¹、 Hao Jiang¹、 Chen Gong¹、 Hironaru Murakami¹、 Masayoshi Tonouchi¹ (1.Osaka Univ.)

09:15 〜 09:30

[19a-Z33-2] 高温度アニール処理したSiドープβ-Ga₂O₃(010)単結晶の電気特性評価

〇中野由崇¹、豊留彬¹、鈴木陸¹、安田優綺¹ (1.中部大工)

09:30 〜 09:45

[19a-Z33-3] カソードルミネッセンス法を用いた m 面サファイア基上 Sn-doped α-Ga₂O₃の深い準位の解析Ⅱ

〇守屋亮¹、城川潤二郎¹、高橋勲²、四戸孝²、肖世玉³、三宅秀人³、荒木努¹ (1.立命館大、2.FLOSFIA、3.三重大)

09:45 〜 10:00

[19a-Z33-4] 顕微ラマンマッピング測定による酸化ガリウム結晶の微細構造評価

〇(M1)中西雅彦¹、飯塚万友¹、庄司昂平¹、桝谷聡士²、嘉数誠³、山口智広¹、本田徹¹、佐々木公平²、倉又朗人²、尾沼猛儀¹ (1.工学院大、2.ノベルクリスタルテクノロジー、3.佐賀大)

10:00 〜 10:15

[19a-Z33-5] β-Ga₂O₃の脆弱な(010)表面

〇山口博隆¹、渡辺信也²、山岡優²、輿公祥²、倉又朗人² (1.産総研、2.ノベルクリスタル)

10:15 〜 10:30

[19a-Z33-6] (001)β-Ga₂O₃上に形成した原子層堆積Al₂O₃に対する成膜後熱処理効果

〇平岩篤^1,4、堀川清貴²、川原田洋^1,2,3、加渡幹尚⁵、旦野克典⁵ (1.早大ナノ・ライフ、2.早大理工、3.早大材研、4.名大未来研、5.トヨタ自動車)

10:45 〜 11:00

▼ [19a-Z33-7] Polycrystalline Defects Origin of Reverse Leakage Current in HVPE (001) β-Ga₂O₃ SBDs Identified by High Sensitive Emission Microscope

〇(D)Sayleap Sdoeung¹、 Kohei Sasaki²、 Katsumi Kawasaki³、 Jun Hirabayashi³、 Akito Kuramata²、 Makoto Kasu¹ (1.Saga Univ.、2.Novel Crystal Technology、3.TDK)

11:00 〜 11:15

[19a-Z33-8] 高感度エミッション顕微鏡によるHVPE(001)beta型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定―微粒子による積層欠陥

〇嘉数誠¹、スダーンセイリープ¹、佐々木公平²、桝谷聡士²、川崎克己³、平林潤³、倉又朗人² (1.佐賀大院工、2.ノベルクリスタルテクノロジー、3.TDK（株）)

11:15 〜 11:30

△ [19a-Z33-9] GaCl-O₂系HVPE法によるβ-Ga₂O₃成長における過剰Cl₂供給効果

〇森あかね¹、税本雄也¹、後藤健¹、熊谷義直¹ (1.東京農工大工)

11:30 〜 11:45

△ [19a-Z33-10] パルスレーザ堆積法による窒素ドープGa₂(O₁₋_xS_x)₃薄膜の成長

〇斉藤拓海¹、井原佑太¹、相馬拓人¹、加渡幹尚²、大友明^1,3 (1.東工大物質理工学院、2.トヨタ自動車、3.元素戦略)

11:45 〜 12:00

△ [19a-Z33-11] C面サファイア基板上α-Ga₂O₃の成長初期段階における成長メカニズム

〇(M1)高根倫史¹、金子健太郎¹、太田優一²、藤田静雄¹ (1.京大院工、2.都産技研)

12:00 〜 12:15

▼ [19a-Z33-12] Characterization of γ-Al₂O₃/β-Ga₂O₃ interface with photo-assisted capacitance-voltage method

〇Nan Zhang¹、 Takumi Saito¹、 Kaisei Kamei¹、 Takuto Soma¹、 Akira Ohtomo^1,2 (1.Tokyo Tech.、2.MCES)

一般セッション(口頭講演)

[19p-Z33-1~16] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2021年3月19日(金) 13:30 〜 18:00 Z33 (Z33)

石河泰明(青学大)、藤原宏平(東北大)、松田晃史(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 13:45

▼ [19p-Z33-1] Digitalized Mist-Chemical Vapor Deposition of atomic-layer Molybdenum Disulfide (MoS₂) Flakes at Low Temperatures

〇(D)Abdul A Kuddus¹、 Arifuzzaman Rajib¹、 Shimomura Kazushi¹、 Yokoyama Kojun¹、 Keiji Ueno¹ (1.Saitama University)

13:45 〜 14:00

▼ [19p-Z33-2] Aluminum titanium oxide Thin Films Synthesized by Mist-CVD and Applied as a Gate Insulating Layer

〇(D)Arifuzzaman Rajib Rajib¹、 Abdul Kuddus¹、 Tomohiro Shida¹、 Kojun Yokoyama¹、 Keiji Ueno¹、 Hajime Shirai¹ (1.Saitama Univ.)

14:00 〜 14:15

△ [19p-Z33-3] 溶液プロセスによる酸化物積層薄膜トランジスタの作製とAZOバッファ層の焼結雰囲気および膜厚依存性

〇(D)大浦紀頼¹、和田英男¹、小山政俊¹、前元利彦¹、佐々誠彦¹ (1.大阪工大　ナノ材研)

14:15 〜 14:30

△ [19p-Z33-4] プラズマ支援分子線堆積法によるフレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価 (6)

〇佐野準之助¹、佐藤陽平¹、井出雄太¹、吉田千博¹、村中司¹、鍋谷暢一¹、松本俊¹ (1.山梨大工)

14:30 〜 14:45

△ [19p-Z33-5] イオン注入されたアモルファスInGaZnO膜の抵抗値熱安定性

〇安田圭佑¹、宇井利昌¹、立道潤一¹ (1.日新イオン機器)

14:45 〜 15:00

△ [19p-Z33-6] 固相結晶化In₂O₃:Hの結晶性及び電気特性制御とTFT応用

〇(M1)片岡大樹¹、古田守^1,2 (1.高工大、2.高工大ナノ研)

15:15 〜 15:30

△ [19p-Z33-7] 環状オレフィンポリマー基板への種々の表面修飾が及ぼすZnO薄膜の配向結晶成長への影響

〇(D)大賀友瑛¹、金子奈帆¹、金子智^2,1、松田晃史¹、吉本護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

15:30 〜 15:45

△ [19p-Z33-8] W:SnO₂薄膜における高移動度の起源

〇福本通孝¹、廣瀬靖¹、中尾祥一郎¹、木村耕治²、林好一²、杉澤悠紀³、関場大一郎³、長谷川哲也¹ (1.東大院理、2.名工大、3.UTTAC)

15:45 〜 16:00

▼ [19p-Z33-9] Band Engineering of Transparent Oxide Semiconductor ASnO₃ (A = Ba, Ca, and Sr)

〇(DC)Mian Wei¹、 Hai Jun Cho^1,2、 Hiromichi Ohta^1,2 (1.IST-Hokkaido Univ.、2.RIES-Hokkaido Univ.)

16:00 〜 16:15

△ [19p-Z33-10] 三元系ワイドギャップCu₂ZnI₄の合成と電子物性の調査

〇(M1)山田英明¹、岡田修治¹、谷田悠太¹、山田直臣¹ (1.中部大院工)

16:15 〜 16:30

△ [19p-Z33-11] トップダウンプロセスで作製したZnO微小共振器中の共振器ポラリトンの室温における観測

〇嶋紘平¹、古澤健太郎¹、秩父重英¹ (1.東北大多元研)

16:45 〜 17:00

△ [19p-Z33-12] p型半導体スズニオブ酸化物におけるスズ周辺の酸素欠陥生成

〇三溝朱音¹、菊地直人²、簔原誠人²、阪東恭子²、相浦義弘²、壬生攻³、西尾圭史¹ (1.東理大、2.産総研、3.名工大)

17:00 〜 17:15

△ [19p-Z33-13] 酸素雰囲気アニールによるp型α-SnWO₄のキャリア濃度向上

〇(M1)土橋優香¹、菊地直人²、簔原誠人²、三溝朱音¹、西尾圭史¹ (1.東理大、2.産総研)

17:15 〜 17:30

△ [19p-Z33-14] Pt櫛形電極を形成したSrTiO3モデル光触媒における水分解反応

〇沈昊哉¹、遠藤達朗¹、嶺岸耕²、杉山正和² (1.東大工、2.東大先端研)

17:30 〜 17:45

△ [19p-Z33-15] CuCrO₂薄膜における抗菌メカニズムの検討

〇武田光流¹、松澤周平²、岡田健²、神崎展³、鷲尾勝由² (1.東北大工、2.東北大院工、3.東北大院医工)

17:45 〜 18:00

△ [19p-Z33-16] ルチル型酸化スズ-酸化ゲルマニウム混晶Sn_1-xGe_xO₂薄膜の光学特性

〇(M1)長島陽¹、廣瀬靖¹、土井雅人¹、福本通孝¹、長谷川哲也¹ (1.東大院理化)

セッション一覧

21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17p-P06-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-Z33-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-Z33-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

▲ [18p-Z33-2] Effect of the thickness on the Properties of ZnO films synthesizedby mist chemical vapor deposition method

▲ [18p-Z33-3] The Emission Power of ZnO Nanoparticle-based LEDs enhanced by adding Silica nanoparticles.

▲ [18p-Z33-4] The Electroluminescence of ZnO nanoparticle-based LEDs improved by inserting a ZnMgO nanoparticles layer.

[19a-Z33-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

▲ [19a-Z33-1] Board-band Terahertz Birefringence of Fe-doped Gallium Oxide (Ga2O3)

▼ [19a-Z33-7] Polycrystalline Defects Origin of Reverse Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 SBDs Identified by High Sensitive Emission Microscope

△ [19a-Z33-9] GaCl-O2系HVPE法によるβ-Ga2O3成長における過剰Cl2供給効果

△ [19a-Z33-10] パルスレーザ堆積法による窒素ドープGa2(O1−xSx)3薄膜の成長

△ [19a-Z33-11] C面サファイア基板上α-Ga2O3の成長初期段階における成長メカニズム

▼ [19a-Z33-12] Characterization of γ-Al2O3/β-Ga2O3 interface with photo-assisted capacitance-voltage method

[19p-Z33-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

▼ [19p-Z33-1] Digitalized Mist-Chemical Vapor Deposition of atomic-layer Molybdenum Disulfide (MoS2) Flakes at Low Temperatures

▼ [19p-Z33-2] Aluminum titanium oxide Thin Films Synthesized by Mist-CVD and Applied as a Gate Insulating Layer

△ [19p-Z33-3] 溶液プロセスによる酸化物積層薄膜トランジスタの作製とAZOバッファ層の焼結雰囲気および膜厚依存性

△ [19p-Z33-4] プラズマ支援分子線堆積法によるフレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価 (6)

△ [19p-Z33-5] イオン注入されたアモルファスInGaZnO膜の抵抗値熱安定性

△ [19p-Z33-6] 固相結晶化In2O3:Hの結晶性及び電気特性制御とTFT応用

△ [19p-Z33-7] 環状オレフィンポリマー基板への種々の表面修飾が及ぼすZnO薄膜の配向結晶成長への影響

△ [19p-Z33-8] W:SnO2薄膜における高移動度の起源

▼ [19p-Z33-9] Band Engineering of Transparent Oxide Semiconductor ASnO3 (A = Ba, Ca, and Sr)

△ [19p-Z33-10] 三元系ワイドギャップCu2ZnI4の合成と電子物性の調査