The 68th JSAP Spring Meeting 2021

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-Z33-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Thu. Mar 18, 2021 1:00 PM - 6:00 PM Z33 (Z33)

Tetsuya Yamamoto(Kochi Univ. of Tech.), Keisuke Ide(Tokyo Tech), Kohei SHIMA(Tohoku Univ.)

5:30 PM - 5:45 PM

[18p-Z33-16] β-Ga2O3 homoepitaxial growth using gaseous GaCl3

〇(B)Risa Nagano1, Kentaro Ema1, Kohei Sasaki2, Akito Kuramata2, Hisashi Murakami1 (1.Tokyo Univ. of Agri & Tech., 2.Novel Crystal Technology, Inc.)

Keywords:Ga2O3, HVPE

ハライド気相成長(HVPE)法を用いるβ-Ga2O3成長では、高品質結晶を高い成長速度で実現している。しかしながら、大きな成長反応のギブズエネルギー変化に起因した原料分子の気相反応による表面形態の悪化が課題となっている。一方、原料分子にGaCl3を用いるβ-Ga2O3成長はHVPE法と比べやや小さな反応のギブズエネルギー変化となるため、表面形態の改善と精密な膜厚制御性が期待できる。本研究では原料分子にGaCl3を用いたβ-Ga2O3成長を行ったので報告する。