[18p-Z33-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-Z33-17] Nearly Ideal Thermionic Emission and Thermionic Field Emission in α-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes Grown on Sapphire Substrate by Mist-CVD

〇Takuya Maeda¹, Mitsuru Okigawa², Yuji Kato², Isao Takahashi², Takashi Shinohe² (1.Kyoto Univ., 2.FLOSFIA Inc.)

Keywords:Gallium Oxide, Schottky Junction, Thermionic Emission

近年，酸化ガリウム(Ga₂O₃)は次世代パワーデバイス材料として大きな注目を集めている．特に，5種(α, β, γ, δ, ε)の結晶多形の中で最安定相であるβ-Ga₂O₃については，高品質バルク基板が成長可能であり不純物制御も比較的容易であることから研究が進展している．一方で，準安定相であるα-Ga₂O₃は，5.4 eV程度の極めて広いバンドギャップを有しており，また，サファイア基板上にMist-CVD法により安価に成長可能であることから，同様に注目を集めている．本研究では，Ti/α-Ga₂O₃ SBDの基礎的な電気的特性を298-423 Kの範囲で調べたので報告する．