2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-Z33-1~16] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2021年3月19日(金) 13:30 〜 18:00 Z33 (Z33)

石河 泰明(青学大)、藤原 宏平(東北大)、松田 晃史(東工大)

14:15 〜 14:30

[19p-Z33-4] プラズマ支援分子線堆積法によるフレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価 (6)

佐野 準之助1、佐藤 陽平1、井出 雄太1、吉田 千博1、村中 司1、鍋谷 暢一1、松本 俊1 (1.山梨大工)

キーワード:酸化亜鉛、透明導電膜、フレキシブル

本研究グループは、これまでに、低温・低損傷プロセスであるプラズマ支援分子線堆積(PAMBD)法を用いて各種フレキシブル基板上へのGa添加ZnO (GZO)透明導電膜の形成と評価を行ってきた。今回の発表では、基本となる酸素(O2)ガスに加え、他のガス(Kr, N2,…)を添加した場合の薄膜形成条件の検討ならびに構造特性、光学的および電気的特性を詳細に評価した結果を報告する。