The 68th JSAP Spring Meeting 2021

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21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[17p-P06-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Wed. Mar 17, 2021 3:00 PM - 3:50 PM P06 (Poster)

3:00 PM - 3:50 PM

[17p-P06-3] Allooy composition control of α-(AlGa)2O3 thin films and Al desorption phenomena in mist CVD

Marika Ohta1, ichiro tanaka1, kazuyuki uno1 (1.Wakayama Univ.)

Keywords:alpha-Gallium oxide, alpha-Aluminium gallium oxide, mist CVD

α型酸化ガリウム(α-Ga2O3)は酸化ガリウムの準安定相であり、c面サファイア(α-Al2O3)基板上でミストCVD法を用いて薄膜成長が可能な半導体材料である。α-(AlGa)2O3混晶を用いてヘテロ接合を作製することで深紫外領域での光デバイス応用が期待される。今回は、ミストCVD成長におけるAlGaO混晶の組成制御とAlの再脱離および原料水溶液中のAlイオンの錯化状態との関係について報告する。