3:00 PM - 3:50 PM
[17p-P06-4] Solid-phase crystallization of β-Ga2O3 thin films with various dopants
by Excimer Laser Annealing
Keywords:Ga2O3, impurity doping, solid-phase crystallization
β型酸化ガリウム(β-Ga2O3)は約4.9eVのバンドギャップを持つ半導体である。室温ELAプロセスはパルスレーザー照射による極短時間での固相結晶化を誘起し、ドーパントの蒸発や分相析出を抑制することから、浅いアクセプター準位を形成し導電性に寄与するドーパントの探索が期待できる。本研究では、β-Ga2O3 薄膜へのドーピングによる特性制御を目的とし、ELA固相エピタキシャル結晶成長を用いた種々の不純物ドーピングとその構造・特性評価を実施した。