The 68th JSAP Spring Meeting 2021

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-Z33-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Thu. Mar 18, 2021 1:00 PM - 6:00 PM Z33 (Z33)

Tetsuya Yamamoto(Kochi Univ. of Tech.), Keisuke Ide(Tokyo Tech), Kohei SHIMA(Tohoku Univ.)

3:45 PM - 4:00 PM

[18p-Z33-10] Property change of Al-doped ZnO films due to deposition position and annealing

Yasuji Yamada1, Motonari Shoriki1, Rei Sugiura1, Shuhei Funaki1 (1.Shimane Univ.)

Keywords:transparent conducting oxide, ZnO, crystalline defects

Al添加ZnO膜からのZn脱離によるアクセプター性欠陥の形成と,成膜時に導入された位置に依存する欠陥との関係を明らかにするために,成膜位置の異なる膜のアニール時間に対する電気特性の変化を調べた。キャリア密度と移動度の挙動の違いより,Zn脱離によるアクセプター性欠陥は移動度に影響しない,および移動度を支配する欠陥の一部は500℃のアニールによっても解消されない,と考えられる。