11:00 AM - 11:15 AM
[18a-Z33-8] Polycrystalline IGO:H films for high-mobility thin-film transistors
Keywords:Oxide semiconductor, Thin-film transistors, In-Ga-O
水素添加InーGaーO(IGO)薄膜の低温(≦300℃)固相結晶化にて形成した水素添加多結晶IGO:Hの結晶性ならびに電気特性制御に関して議論する。IGO:Hを活性層に用いたボトムゲート型薄膜トランジスタは電界効果移動度50.5 cm2/Vs、サブスレッショルドスイング100 mV/dec.の優れた特性を示した。多結晶酸化物半導体はTFTの高移動度化に有効な手法と言える。