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[18p-Z33-13] Formation of NiGa2O4 thin films on Ga2O3 substrates
Keywords:gallium oxide, nickel oxide
我々は、高温下でNiO/β-Ga2O3ヘテロ界面にNiGa2O4が形成されることを報告している。今回ゾル-ゲル法によりNiGa2O4薄膜の形成を試み、膜を評価した。950℃処理によって(-201)β-Ga2O3基板上で(111)配向NiGa2O4が得られた。また、Ga2O3との接合により整流性も得られた。