The 68th JSAP Spring Meeting 2021

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-Z33-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Thu. Mar 18, 2021 1:00 PM - 6:00 PM Z33 (Z33)

Tetsuya Yamamoto(Kochi Univ. of Tech.), Keisuke Ide(Tokyo Tech), Kohei SHIMA(Tohoku Univ.)

4:45 PM - 5:00 PM

[18p-Z33-13] Formation of NiGa2O4 thin films on Ga2O3 substrates

Shinji Nakagomi1, Yoshihiro Kokubun1 (1.Ishinomaki Senshu)

Keywords:gallium oxide, nickel oxide

我々は、高温下でNiO/β-Ga2O3ヘテロ界面にNiGa2O4が形成されることを報告している。今回ゾル-ゲル法によりNiGa2O4薄膜の形成を試み、膜を評価した。950℃処理によって(-201)β-Ga2O3基板上で(111)配向NiGa2O4が得られた。また、Ga2O3との接合により整流性も得られた。