[18a-Z33-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-Z33-4] スパッタ法を用いたIn₂O₃:Ce,H広帯域透明導電膜の開発とSiヘテロ接合型太陽電池への適用

〇鯉田 崇¹、Leonard Tutsch^1,2、齋 均¹、松井 卓矢¹、Martin Bivour²、Martin Hermle² (1.産総研、2.フラウンホーファーISE)

キーワード：透明導電膜、移動度、太陽電池

Siヘテロ接合(SHJ)太陽電池開発において、窓電極のITO(In₂O₃:Sn)をより高移動度な透明導電膜に置換え、光学（反射・吸収）損失を抑制することで、高効率化が図られている。窓電極形成には、反応性プラズマ堆積(RPD)あるいはマグネトロンスパッタ(MS)法が用いられ、高移動度透明導電膜としてHあるいはHと金属(Me)不純物を同時添加したIn₂O₃:Me,H薄膜が用いられている。本研究では、MS-In₂O₃:Ce,H薄膜の性能を調べ、SHJ太陽電池の窓電極に適用し、ITOを用いた参照試料との性能比較を行った。