[18a-Z33-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-Z33-8] 水素添加多結晶IGO:H膜による高移動度薄膜トランジスタ

神寳 健太¹、田中 大貴¹、松村 俊宏¹、片岡 大樹¹、曲 勇作¹、〇古田 守¹、佐々木 大地²、川嶋 絵美²、霍間 勇輝² (1.高知工大、2.出光興産)

キーワード：酸化物半導体、薄膜トランジスタ、In-Ga-O

水素添加InーGaーO(IGO)薄膜の低温（≦300℃）固相結晶化にて形成した水素添加多結晶IGO:Hの結晶性ならびに電気特性制御に関して議論する。IGO:Hを活性層に用いたボトムゲート型薄膜トランジスタは電界効果移動度50.5 cm²/Vs、サブスレッショルドスイング100 mV/dec.の優れた特性を示した。多結晶酸化物半導体はTFTの高移動度化に有効な手法と言える。