[18a-Z33-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18a-Z33-8] Polycrystalline IGO:H films for high-mobility thin-film transistors

Kenta Simpo¹, Daiki Tanaka¹, Toshihiro Matsumura¹, Taiki Kataoka¹, Yusaku Magari¹, 〇Mamoru Furuta¹, Daichi Sasaki², Emi Kawashima², Yuki Tsuruma² (1.Kochi Univ. of Tech., 2.Idemitsu Kosan.)

Keywords:Oxide semiconductor, Thin-film transistors, In-Ga-O

水素添加InーGaーO(IGO)薄膜の低温（≦300℃）固相結晶化にて形成した水素添加多結晶IGO:Hの結晶性ならびに電気特性制御に関して議論する。IGO:Hを活性層に用いたボトムゲート型薄膜トランジスタは電界効果移動度50.5 cm²/Vs、サブスレッショルドスイング100 mV/dec.の優れた特性を示した。多結晶酸化物半導体はTFTの高移動度化に有効な手法と言える。