[18p-P03-1~4] 3.11 フォトニック構造・現象

[18p-P03-1] 近赤外低温カソードルミネッセンスを用いたSOI基板の内部欠陥評価

〇(B)生田 俊輔¹、藤本 正直¹、浅野 卓²、野田 進²、高橋 和¹ (1.大阪府大院工、2.京大院工)

キーワード：SOI基板、近赤外低温カソードルミネッセンス、内部欠陥

2種類のSOI基板に近赤外低温カソードルミネッセンス（CL）測定を行った．
また，それぞれの基板にシリコンラマンレーザ用のナノ共振器を作製してQ値の統計評価を行った．