[18p-Z04-1~9] 特異構造の結晶科学　～学術とエレクトロニクス展開～

[18p-Z04-3] 量子殻特異構造の作製と光デバイス応用

〇上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、赤崎 勇^1,2 (1.名城大、2.名古屋大学)

キーワード：GaN、ナノワイヤ、多重量子殻

GaNナノワイヤとGaInN系多重量子殻によるCore-shell構造は、半導体発光デバイスの革新へとつながる大きな可能性を有している。特に非極性面となるナノワイヤ側壁を基底面とする積層構造は、量子シュタルク効果の影響を排除できることや、電流注入を容易とするなど大きなアドバンテージが期待される。しかしながら、このような微小サイズの構造体の均一かつ制御性の高い成長を実現することは容易ではない。また、非極性面への均一な電流注入のためには、トンネル接合を経由したn-GaN層からの注入が不可欠であり、結晶成長の難易度はさらに高まる。本講演では、上記の量子殻構造の結晶成長と、これを用いた光デバイス応用について議論する。