[18p-Z04-1~9] Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity

[18p-Z04-8] Interface properties of MOS structures on nonpolar GaN surface

〇Tamotsu Hashizume¹ (1.Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, MOS, interface

無極性m面GaN上にAl₂O₃膜を形成し界面特性を詳細に評価した。As-deposited状態でも低い界面準位密度となり、表面ダイマー構造との関連性を議論した。また、高温領域でもフラットバンドシフトのない安定な界面特性が観測された。