[18p-Z04-1~9] Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity

[18p-Z04-9] Effect of Dislocations in Nitride Semiconductors on Device Characteristics

〇Yoshio Honda¹, Atsushi Tanaka¹, Seiya Kawasaki², Hirotaka Watanabe¹, Hiroshi Amano^1,3,4 (1.IMaSS, Nagoya Univ., 2.Dept. of Elec., Nagoya Univ., 3.ARC, Nagoya Univ, 4.VBL, Nagoya Univ)

Keywords:Nitride Semiconductor, Dislocation, Defect, pn Diode

窒化物半導体中の転位伝搬メカニズムに関して、成長界面や基底面転位の移動とデバイスへの影響は未だ不明である。パワーデバイス中の転位は、多光子顕微鏡、エミッション顕微鏡、TEM評価を組み合わせることで、螺旋転位とナノパイプがキラー欠陥として働くことを明らかにした。さらにC濃度の面内揺らぎがデバイス特性に大きな影響を与えることが分かっており、結晶成長における更なる高精度化が要求されている。