[18p-Z04-1~9] 特異構造の結晶科学　～学術とエレクトロニクス展開～

[18p-Z04-8] 無極性面に形成したGaN MOS界面の特性

〇橋詰 保¹ (1.北大量集センター)

キーワード：GaN、MOS、界面

無極性m面GaN上にAl₂O₃膜を形成し界面特性を詳細に評価した。As-deposited状態でも低い界面準位密度となり、表面ダイマー構造との関連性を議論した。また、高温領域でもフラットバンドシフトのない安定な界面特性が観測された。