[18p-Z05-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18p-Z05-3] 光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いたSiC-MOSFET動作時の過渡的内部温度変化の可視化

〇藤本 渓也¹、小柳 樹¹、佐藤 拓磨¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広大院先進理工)

キーワード：光学干渉非接触温度測定法、SiC

デバイス作製において熱設計は必要不可欠であり, 様々なモデルによって熱伝導の解析が行われているが, デバイス内部の直接的な発熱過程の測定は行えていない. 本研究では, 我々が開発している光学干渉非接触温度測定技術(Optical-Interference Contactless Thermometer : OICT) を応用してSiC-MOSFET動作時の内部の熱拡散過程の可視化を試みた.