PDF ダウンロード スケジュール 52 いいね! 2 コメント (0) 14:15 〜 14:30 [18p-Z05-4] [講演奨励賞受賞記念講演] 水素エッチングとSiO2堆積後の窒化処理を組み合わせた高品質4H-SiC/SiO2界面の形成 〇立木 馨大1、金子 光顕1、小林 拓真1、木本 恒暢1 (1.京大院工) キーワード:SiC