[18p-Z13-1~12] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18p-Z13-3] 透過型電子顕微鏡での空孔形成を用いた2次元高密度NVアンサンブルの作製

〇(B)早坂 京祐¹、金久 京太郎¹、立石 哲也¹、齋藤 悠太¹、谷井 孝至¹、小野田 忍²、磯谷 順一³、榎本 心平⁴、河野 省三⁴、川原田 洋^1,4 (1.早大、2.量研、3.筑波大、4.早大材研)

キーワード：NVセンター、ダイヤモンド、半導体

ダイヤモンド中のNVアンサンブルは磁気センサへの応用が期待されている。特に、2次元に存在するNVセンター同士がエンタングル状態を形成するとき、磁気センサの磁気感度向上が予測されている。エンタングル状態形成には高濃度NVアンサンブルの作製が必要である。2次元NVアンサンブルについて、透過型電子顕微鏡を用いた電子線照射によりNVセンターの面密度向上を試みた。電子照射の有無でNV面密度は2.9×10⁹[cm²]から最大3.0×10¹¹[cm²]へと向上した。