The 68th JSAP Spring Meeting 2021

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Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.4 Thin films and New materials

[18p-Z15-1~15] 6.4 Thin films and New materials

Thu. Mar 18, 2021 1:30 PM - 5:30 PM Z15 (Z15)

Tetsuo Tsuchiya(AIST), Hiroaki Nishikawa(Kindai Univ.)

3:00 PM - 3:15 PM

[18p-Z15-7] Thin films of Ba(Zn,Fe)2As2 grown by MBE and their physical properties

〇(M1)Ryo Ikegami1, Tomomasa Kiyozawa1, Takahumi Hatano1, Takahumi Ishida2, Takahiro Urata1, Kazumasa Iida1,3, Hiroshi Ikuta1 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.JST-CREST)

Keywords:magnetic semiconductor

近年、 (Ba,K)(Zn,Mn)2As2をはじめBaZn2As2を母物質とする磁性半導体探索が盛んに行われているが、薄膜化に関しては母相が室温で準安定、ZnやAsの蒸気圧が高い等といった理由から作製が難しく、報告例は少ない。そこで本研究では、この系のMBE法による単相薄膜作製に取り組んだ。さらに磁性元素としてFeを部分置換することで電子キャリアが導入されること等を見出したので報告する。