[18p-Z23-1~16] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[18p-Z23-4] RF-MBE法によるEu添加GaN薄膜および自己形成ナノコラムにおけるゼーマン分裂

〇奥野 智大¹、小野田 稜太¹、関口 寛人²、若原 昭浩²、中岡 俊裕¹ (1.上智大理工、2.豊橋技科大工)

キーワード：ゼーマン分裂、GaN薄膜、自己形成ナノコラム

GaN中に添加された希土類原子Euは高効率赤色発光を示し，次世代発光素子として期待されている一方，MBE法とMOCVD法でスペクトルが異なる理由等，未解明な部分が多い．我々は，発光起源解明に貢献するためゼーマン分裂を報告してきた．今回測定した範囲では自己形成ナノコラムでは観測されず，MBE法GaN:Eu薄膜素子にのみ見られた特徴的な発光ピーク(1.998eV)におけるゼーマン分裂を報告する．