[18p-Z23-1~16] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

[18p-Z23-7] Room Temperature Negative Differential Resistance of Si/CaF₂ p-type Triple-barrier Resonant Tunneling Diodes

〇Honami Sato¹, Masahiro Watanabe¹, Yoshiro Kumagai¹, Kanta Tomizawa¹, Takumi Kaneko¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:Resonant Tunneling Diodes

Si/ CaF₂ヘテロ構造は， Si基板上に数原子層厚の積層エピタキシャル成長が可能，極薄膜の積層構造における相互拡散の抑制に有利である。この特徴を活かし，応用上有意な電流密度を確保しつつ，室温で大きなピーク対バレー電流比を有する共鳴トンネルダイオード(RTD)の動作実証を行い，ホール注入型のSi/CaF₂三重障壁構造RTDにおいて，室温で複数の電流ピークを有する微分負性抵抗特性を観測するとともに，そのシミュレーションモデルを検討した。